Show simple item record

dc.contributor.advisorNasution, Tulus Ikhsan
dc.contributor.authorPutri, Siti Rahma Eka
dc.date.accessioned2018-09-27T00:55:25Z
dc.date.available2018-09-27T00:55:25Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.otherAkhmad Danil
dc.identifier.urihttp://repositori.usu.ac.id/handle/123456789/6804
dc.description130801068en_US
dc.description.abstractChitosan is potential as a dielectric material because of its bipolar properties. In this study, chitosan films were fabricated with solution casting method to produce chitosan thick film with 200 μm thickness as an dielectric for capacitor application. Testing of the charging and discharging characteristics of chitosan film dielectric was done by placing a chitosan film in a capacitor system configuration. The test uses RC series circuit with DC voltage supply. Testing of charging and discharging characteristics was done in two experimental stages, the first experiment by varying the supply voltage values of 1V, 3V, 5V, 10V and 15V. This is done to determine the value of the most appropriate charging voltage for chitosan film dielectric to be optimum polarized, the result is obtained that 5 volts is the most appropriate charging voltage value. In the second experiment, 5 V has been chosen as the charging voltage in subsequent charging and discharging characteristics testing by varying the resistance values of 100 Ω, 1K Ω, 10K Ω, 100K Ω and 1M Ω. This is done to find out the performance of chitosan film in acting as dielectric, the result is obtained that performance of chitosan film as dielectric meets the general equation of capacitance in RC series circuit. Characterization using FTIR and DSC was performed in this study, each performed to prove the presence of chitosan functional groups that play a role in polarization events and to know the thermal properties of chitosan film. FTIR analysis results show an overlapping hydroxyl group with NH of primary amine at wave number 3572 cm-1 and NH of secondary amine at wave number 1593 cm-1. Meanwhile, DSC analysis results show that the chitosan film has a relatively low heat resistance of 0.016 J / g K. These results show that chitosan film is potential to become an dielectric for capacitor application with low voltage consumption.en_US
dc.description.abstractKitosan berpotensi sebagai material dielektrik karena sifat dwikutub yang dimilikinya. Dalam penelitian ini film kitosan dibuat melalui metode solution casting untuk menghasilkan film tebal kitosan dengan ketebalan 200 μm sebagai sebuah dielektrik kapasitor. Pengujian karakteristik pengisian dan pengosongan film kitosan dielektrik dilakukan dengan menempatkan sebuah film tebal kitosan dalam suatu konfigurasi sistem kapasitor. Pengujian tersebut menggunakan rangkaian RC seri dengan supply tegangan DC. Pengujian karakteristik pengisian dan pengosongan dilakukan dalam dua tahapan eksperimen, pertama dengan memvariasikan nilai tegangan supply dari 1V, 3V, 5V, 10V dan 15V. Hal ini dilakukan untuk menentukan nilai tegangan pengisian yang paling tepat agar dielektrik film kitosan dapat terpolarisasi dengan optimum, hasilnya diperoleh bahwa 5 volt merupakan nilai tegangan pengisian yang paling tepat. Pada eksperimen kedua, nilai tersebut digunakan sebagai tegangan pengisian dalam pengujian karakteristik pengisian dan pengosongan selanjutnya dengan memvariasikan nilai resistance dari 100 Ω, 1K Ω, 10K Ω, 100K Ω dan 1M Ω, ini dilakukan untuk mengetahui hubungan besar nilai kapasitansi kapasitor film kitosan terhadap perubahan nilai resistance apakah memenuhi persamaan umum kapasitansi dalam rangkaian RC seri. Karakterisasi menggunakan FTIR dan DSC turut dilakukan dalam penelitian ini, masing-masing dilakukan untuk membuktikan keberadaan gugus fungsional kitosan yang berperan dalam peristiwa polarisasi dan mengetahui sifat termal film kitosan. Hasil analisis FTIR menunjukkan gugus hidroksil yang tumpang tindih dengan NH dari amina primer pada bilangan gelombang 3572 cm-1 dan NH dari amina sekunder pada bilangan gelombang 1593 cm-1. Sementara itu hasil analisa DSC menunjukkan film kitosan memiliki ketahanan panas yang relatif rendah yakni 0.016 J/g K. Hasil ini menunjukkan bahwa film kitosan berpotensi menjadi dielektrik untuk aplikasi kapasitor dengan konsumsi tegangan rendah.en_US
dc.language.isoiden_US
dc.publisherUniversitas Sumatera Utaraen_US
dc.subjectCapacitor Dielectricen_US
dc.subject, Charging and Discharging Characteristicsen_US
dc.subjectChitosan Filmen_US
dc.subjectSolution Casting Methoden_US
dc.titlePengujian Karakteristik Pengisian dan Pengosongan Film Tebal Kitosan sebagai Dielektrik Kapasitoren_US
dc.typeSkripsi Sarjanaen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record